MSD系列直流磁控溅射电源
商品详情
性能特点
技术参数
主要型号:
型号 | 功率(kW) | 蕞大工作 电流(A) | 外形尺寸 | 冷却方式 | 空载电压(V) | 工作电压(V) |
MSD-10k | 10 | 12.5 | 1单元 | 风冷 480*243*565 (WHD)(3U) | 1000 | 150~800V |
MSD-20k | 20 | 25 | 1单元 | |||
MSD-30k | 30 | 37.5 | 2单元 | |||
MSD-40k | 40 | 50 | 2单元 | |||
MSD-20k | 20 | 25 | 1单元 | 风水冷 480*280*580 (WHD)(3U) | 1000 | 150~800V |
MSD-30k | 30 | 37.5 | 1单元 | |||
MSD-40k | 40 | 50 | 1单元 | |||
MSD-60k | 60 | 75 | 2单元 | |||
MSD-80k | 80 | 100 | 2单元 | |||
MSD-100k | 100 | 125 | 3单元 | |||
MSD-120k | 120 | 150 | 3单元 |
主要特点:
A 采用先进的电流型开关电源技术,减小输出储能元件,
同时提高了抑制打火及重启速度,应用在铝靶镀膜优势更为明显。
B 具备恒流/恒功率模式可选。恒功率模式相对于传统的恒流模式,
更能保证镀膜工艺的重复性。
C 具有理想的电压陡降特性,自动识别伪打火现象,
充分满足磁控溅射工艺过程的连续性。
D 主要参数可大范围调节
E 可选择手动控制/模拟量接口控制,可选配RS485通讯接口。
F 采用进口大功率IGBT&MOS模块
采用先进的PWM脉宽调制技术,使用进口IGBT或MOSFET作为功率开关器件,
体积小、重量轻、功能全、性能稳定可靠,生产工艺严格完善。
该系列产品采用先进的DSP控制系统,充分保证镀膜工艺的重复性,
并且具有抑制靶材弧光放电及抗短路功能,
具有极佳的负载匹配能力,既保证了靶面清洗工艺的稳定性,又提高了靶面清洗速度;
主要参数均可大范围连续调节;
方便维护,可靠性高;
PLC接口和RS485接口扩展功能,方便实现自动化控制。
主要用途:
直流磁控溅射用于镀制各种金属
真空镀膜技术我们都不陌生,真空镀膜电源就是置待镀材料和被镀基板于真空室内,采用一定方法加热待镀材料,使之蒸发或升华,并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。它在塑料制品上的应用最广泛,不少真空镀膜机厂表示,塑料具有易成型,成本低,质量轻,不腐蚀等特点,塑料制品应用广泛,但因其缺点制约了扩大应用。

1、电控柜的操作
1)开水泵、气源
2)开总电源
3)开维持泵、真空计电源,真空计档位置V1位置,等待其值小于10后,再进入下一步操作。约需5分钟。
4)开机械泵、予抽,开涡轮分子泵电源、启动,真空计开关换到V2位置,抽到小于2为止,约需20分钟。
5)观察涡轮分子泵读数到达250以后,关予抽,开前机和高阀继续抽真空,抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头,观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子枪电源。
2、DEF-6B电子枪电源柜的操作
1)打开总电源
2)同时开电子枪控制Ⅰ和电子枪控制Ⅱ电源:按电子枪控制Ⅰ电源、延时开关,延时、电源及保护灯亮,三分钟后延时及保护灯灭,若后门未关好或水流继电器有故障,保护灯会常亮。
3)开高压,高压会达到10KV以上,调节束流可到200mA左右,帘栅为20V/100mA,灯丝电流1.2A,偏转电流在1~1.7之间摆动。
3、关机顺序
1)关高真空表头、关分子泵。
2)待分子泵显示到50时,依次关高阀、前级、机械泵,这期间约需40分钟。
3)到50以下时,再关维持泵。

